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2022年6月2日 (木)
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トランスフォームのGaNにより、ファンレス設計の可搬型蓄電装置で99%の効率と73%の損失低減を実現

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム(GaN)電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム(Nasdaq: TGAN)は本日、当社のGaN技術がナユタパワーエナジーのLEMURIA(レムリア)ME3000の電源に採用されていると発表しました。ナユタは、GaN FETをLEMURIAのACインバーターに使用し、ファンレスシステムで99%の効率を達成しました。注目すべきことに、LEMURIA ME3000は、医療機器用リチウムイオン電池蓄電装置として日本で初めて、電気製品の安全性と性能品質を示すマークであるS-JQA認証を取得しています。

JEDEC規格に準拠したトランスフォームのTP65H035WSは、650V、35mΩの高性能GaNデバイスで、熱的に堅牢なTO-247パッケージに収められています。±20Vのゲート安全マージンと4Vのノイズ耐性しきい値により、業界最高の信頼性を実現しています。また、電源システムのサイズ、重量、全体コストを削減しながら、99パーセント超の電力効率を達成できます。


LEMURIA ME3000は、医療施設や現場での持ち運びが容易な小型・軽量の製品です。1.5kWの連続出力と3.3kWhの蓄電容量を持ち、充電が必要となるまでの使用時間は最大33時間です。従来のシリコン製品はファン冷式でしたが、GaN FETの性能により、ナユタはLEMURIA ME3000をファンレス電源システムとして構築し、電力効率を96.24%から99.01%に高め、同じ周波数で動作する場合の電力損失を73%低減することができます。その結果、電源は通気口のない密閉型ユニットとなり、液体やほこりによるシステムの汚染や損傷を防ぐことができます。

LEMURIA ME3000は、国際規格IEC 60601に基づく日本品質保証機構(JQA)の規格であるJIS T060-1の認証を取得しています。これらの品質管理により、医療環境で使用される電気機器は、特に電磁干渉と漏電に関して、より高い安全性と性能の要件を満たすことが保証されます。

ナユタパワーエナジーのエグゼクティブディレクターを務めるMorgan Yoshiyuki Habuta氏は、次のように述べています。「医療環境では、厳しい安全・衛生プロトコルを満たしながら、非常に高い信頼性を提供するソリューションが求められています。人工呼吸器を動かす電源に故障は許されません。また、簡単に清掃できない場所に潜んでいる可能性がある細菌に患者をさらすこともできません。そこにGaNベースの密閉型ユニットが素晴らしい価値を提供する出番があります。トランスフォームのGaN FETが提供する高いスイッチング能力と信頼性により、LEMURIA ME3000に関して当社が設定した目標を達成することができました。このFETを当社の先進的な電源システム設計に組み込むことで、あらゆる場所でさまざまな高出力医療アプリケーションをサポートできるリチウムイオン電池電源が実現しました。私たちは医療の届く範囲を広げることに取り組んでいますが、トランスフォームのGaNはその手助けをしてくれています。」

LEMURIA ME3000は、その可搬性により、大規模病院(手術室、診断室、病室)、長期療養施設、個人宅、災害現場など、さまざまな環境で使用することができます。

アプリケーション市場と提供について

トランスフォームのTP65H035WS GaN FETは、AC-DCコンバーター、DC-DCコンバーター、DC-ACインバーターに使用することができます。使用を見込むアプリケーション市場には、コンピューティング、暗号マイニング、データセンター、医療、通信などがあります。このデバイスは現在、デジキーマウザーを通じて提供中です。

ナユタパワーエナジーについて

浜松に位置するナユタパワーエナジーは、医療用電源の一流メーカーです。同社の独自技術により、医療機器用の高効率かつ高信頼性の小型電源が実現します。またナユタは、情報通信機器、オーディオ機器、住宅(家庭用)機器に加え、電気自動車向け電源の製造も専門としています。詳細情報については、https://nayuta.group(英語サイト)またはhttps://www.nayuta-co.jp(日本語サイト)をご覧ください。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC/AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター(@transphormusa)とウィーチャット(Transphorm_GaN)で当社をフォローしてください。

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。


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211 Communications
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