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2014年2月12日 (水)
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東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝は、低電力MCUのデータバックアップ用途に適した極低リークSRAM(eXtremely Low Leak : XLL SRAM)を65nmプロセスで開発しました。本SRAMをMCUのバックアップRAMとして使用することで、ディープスリープモードからの高速復帰が可能になります。 本成果は、米国サンフランシスコで開催中のISSCC(International Solid-State Circuits Conference)において、2月11日(現地時間)に発表しました。 近年、ウェアラブル端末・ヘルスケア・スマートメーターなどの電池駆動製品分野で電池寿命を長くする要求が増えてきています。これらの製品に使用されるMCUは低電力化のための様々な工夫がなされていますが、プロセスの世代が進むにつれ動作時電力ではなくリークによるスタンバイ電力の増加が問題になってきます。特に、スタンバイ時にデータを保持しておくRAMへの低リーク化の要求が特に強くなっています。 システムの低電力化のためMCUではスタンバイ電流が1μA以下のディー

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